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| 数据手册 | TP90H180PS 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | GaN Si |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 78 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 18 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 205 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
| Qg-栅极电荷 | 10 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,546
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥74.0464
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥74.0464 | ￥74.0464 |
| 10+ | ￥67.2949 | ￥672.9490 |
| 25+ | ￥62.2709 | ￥1,556.7725 |
| 50+ | ￥59.6091 | ￥2,980.4550 |
| 100+ | ￥57.1940 | ￥5,719.4000 |
| 250+ | ￥52.1701 | ￥13,042.5250 |
| 500+ | ￥48.8296 | ￥24,414.8000 |
| 1,000+ | ￥44.6165 | ￥44,616.5000 |
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