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    R6018JNXC7G

    MOSFET NCH 600V 18A POWER

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 R6018JNXC7G 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-220FM-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 PrestoMOS
    配置 Single
    Pd-功率耗散 72 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 600 V
    Id-连续漏极电流 18 A
    Rds On-漏源导通电阻 286 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 5 V
    Qg-栅极电荷 42 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:50,143

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥25.9660
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥25.9660 ¥25.9660
    10+ ¥22.0614 ¥220.6140
    100+ ¥19.0823 ¥1,908.2300
    250+ ¥18.1568 ¥4,539.2000
    500+ ¥16.2354 ¥8,117.7000
    1,000+ ¥13.6970 ¥13,697.0000
    2,500+ ¥13.0095 ¥32,523.7500
    5,000+ ¥12.5159 ¥62,579.5000

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