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    SSM6N815R,LF

    MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SSM6N815R,LF 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TSOP-6F-6
    通道数量 2 Channel
    技术 SI
    商标名 U-MOSVIII-H
    配置 Dual
    Pd-功率耗散 1.4 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 100 V
    Id-连续漏极电流 2 A
    Rds On-漏源导通电阻 84 mOhms, 84 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1.5 V
    Qg-栅极电荷 3.1 nC, 3.1 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:50,558

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥2.7235
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥2.7235 ¥2.7235
    10+ ¥2.2740 ¥22.7400
    100+ ¥1.2516 ¥125.1600
    1,000+ ¥1.0224 ¥1,022.4000
    3,000+ ¥0.8735 ¥2,620.5000
    9,000+ ¥0.7809 ¥7,028.1000
    24,000+ ¥0.7624 ¥18,297.6000
    45,000+ ¥0.7377 ¥33,196.5000

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