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| 数据手册 | CSD86356Q5D 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SON-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | NexFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 12 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 950 mV |
| Qg-栅极电荷 | 7.9 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,507
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥14.1288
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥14.1288 | ￥14.1288 |
| 10+ | ￥11.9606 | ￥119.6060 |
| 100+ | ￥9.3605 | ￥936.0500 |
| 250+ | ￥9.1049 | ￥2,276.2250 |
| 1,000+ | ￥6.6898 | ￥6,689.8000 |
| 2,500+ | ￥6.6281 | ￥16,570.2500 |
| 5,000+ | ￥6.1169 | ￥30,584.5000 |
| 10,000+ | ￥5.8789 | ￥58,789.0000 |
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