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    SSM6N357R,LF

    MOSFET LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SSM6N357R,LF 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, Reel
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TSOP-6F
    通道数量 2 Channel
    技术 SI
    商标名 MOSV
    配置 Dual
    Pd-功率耗散 1 W
    Vgs - 栅极-源极电压 12 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 60 V
    Id-连续漏极电流 650 mA
    Rds On-漏源导通电阻 1.8 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1.3 V
    Qg-栅极电荷 1.5 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:54,160

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥2.4150
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥2.4150 ¥2.4150
    10+ ¥1.9479 ¥19.4790
    100+ ¥1.1282 ¥112.8200
    1,000+ ¥0.9167 ¥916.7000
    3,000+ ¥0.7809 ¥2,342.7000
    9,000+ ¥0.7254 ¥6,528.6000
    24,000+ ¥0.7060 ¥16,944.0000
    45,000+ ¥0.6813 ¥30,658.5000
    99,000+ ¥0.6690 ¥66,231.0000

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