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US6M2GTR

MOSFET 2.5v Nch+Pch 6pin TUMT6; w/G-S Diode

制造商:
ROHM Semiconductor
产品类别
MOSFET
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 US6M2GTR 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 TUMT-6
通道数量 2 Channel
技术 SI
配置 Dual
Pd-功率耗散 1 W
Vgs - 栅极-源极电压 4.5 V
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压 30 V, 20 V
Id-连续漏极电流 1.5 A, 1 A
Rds On-漏源导通电阻 170 mOhms, 280 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压 1.5 V, 2 V
Qg-栅极电荷 1.6 nC, 2.1 nC
通道模式 Enhancement

库存:57,134

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥4.0280
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥4.0280 ¥4.0280
10+ ¥3.3141 ¥33.1410
100+ ¥2.0184 ¥201.8400
1,000+ ¥1.5601 ¥1,560.1000
3,000+ ¥1.3309 ¥3,992.7000
9,000+ ¥1.2428 ¥11,185.2000

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