CSD88539ND
MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET
- 制造商：
- Texas Instruments
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | CSD88539ND 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | NexFET |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 28 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.6 V |
| Qg-栅极电荷 | 7.2 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,616
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.0152
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.0152 | ￥5.0152 |
| 10+ | ￥4.1514 | ￥41.5140 |
| 100+ | ￥3.0144 | ￥301.4400 |
| 250+ | ￥2.9086 | ￥727.1500 |
| 1,000+ | ￥2.1418 | ￥2,141.8000 |
| 2,500+ | ￥2.0096 | ￥5,024.0000 |
| 5,000+ | ￥1.8069 | ￥9,034.5000 |
| 10,000+ | ￥1.6747 | ￥16,747.0000 |
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