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    SI7463DP-T1-GE3

    MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V

    制造商:
    Vishay Semiconductors
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SI7463DP-T1-GE3 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 PowerPAK-SO-8
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 TrenchFET
    配置 Single
    Pd-功率耗散 5.4 W
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 40 V
    Id-连续漏极电流 18.6 A
    Rds On-漏源导通电阻 9.2 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1 V
    Qg-栅极电荷 121 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:59,372

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥16.5439
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥16.5439 ¥16.5439
    10+ ¥14.7458 ¥147.4580
    100+ ¥11.7755 ¥1,177.5500
    500+ ¥9.7924 ¥4,896.2000
    3,000+ ¥7.5007 ¥22,502.1000
    6,000+ ¥7.4390 ¥44,634.0000

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