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数据手册 | IXTX200N10L2 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | PLUS-247-3 |
技术 | SI |
商标名 | Linear L2 |
Pd-功率耗散 | 1.04 kW |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Id-连续漏极电流 | 200 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
Qg-栅极电荷 | 540 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:58,242
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥143.2539
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥143.2539 | ¥143.2539 |
5+ | ¥142.0200 | ¥710.1000 |
10+ | ¥132.1042 | ¥1,321.0420 |
25+ | ¥126.2782 | ¥3,156.9550 |
50+ | ¥123.1845 | ¥6,159.2250 |
100+ | ¥111.3473 | ¥11,134.7300 |
250+ | ¥109.2407 | ¥27,310.1750 |
500+ | ¥94.9885 | ¥47,494.2500 |
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