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数据手册 | IXTK60N50L2 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-264-3 |
技术 | SI |
商标名 | Linear L2 |
Pd-功率耗散 | 960 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Id-连续漏极电流 | 60 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
Qg-栅极电荷 | 610 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:50,838
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥153.6633
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥153.6633 | ¥153.6633 |
5+ | ¥152.3059 | ¥761.5295 |
10+ | ¥141.7115 | ¥1,417.1150 |
25+ | ¥138.1771 | ¥3,454.4275 |
50+ | ¥134.9512 | ¥6,747.5600 |
100+ | ¥119.4033 | ¥11,940.3300 |
250+ | ¥115.4370 | ¥28,859.2500 |
500+ | ¥109.8577 | ¥54,928.8500 |
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