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    IPD80R1K4CEATMA1

    MOSFET N-Ch 800V 3.9A DPAK-2

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IPD80R1K4CEATMA1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-252-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 CoolMOS
    配置 Single
    Pd-功率耗散 63 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 800 V
    Id-连续漏极电流 3.9 A
    Rds On-漏源导通电阻 1.4 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3 V
    Qg-栅极电荷 23 nC

    库存:54,936

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥7.2539
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥7.2539 ¥7.2539
    10+ ¥6.1874 ¥61.8740
    100+ ¥4.6009 ¥460.0900
    500+ ¥3.9310 ¥1,965.5000
    2,500+ ¥2.8734 ¥7,183.5000
    10,000+ ¥2.7852 ¥27,852.0000
    25,000+ ¥2.7676 ¥69,190.0000

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