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    SI4435DDY-T1-GE3

    MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8

    制造商:
    Vishay Semiconductors
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SI4435DDY-T1-GE3 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 SO-8
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 TrenchFET
    配置 Single
    Pd-功率耗散 5 W
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 30 V
    Id-连续漏极电流 11.4 A
    Rds On-漏源导通电阻 24 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1 V
    Qg-栅极电荷 50 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:56,689

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥3.7812
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥3.7812 ¥3.7812
    10+ ¥3.2788 ¥32.7880
    100+ ¥2.6354 ¥263.5400
    500+ ¥2.3798 ¥1,189.9000
    2,500+ ¥1.6747 ¥4,186.7500
    5,000+ ¥1.5601 ¥7,800.5000
    10,000+ ¥1.5336 ¥15,336.0000

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