STQ2HNK60ZR-AP
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | STQ2HNK60ZR-AP 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-92-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | SuperMESH |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 500 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 4.8 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,388
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥4.7684
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.7684 | ￥4.7684 |
| 10+ | ￥3.9134 | ￥39.1340 |
| 100+ | ￥2.7412 | ￥274.1200 |
| 500+ | ￥2.3710 | ￥1,185.5000 |
| 1,000+ | ￥2.0184 | ￥2,018.4000 |
| 2,000+ | ￥1.8862 | ￥3,772.4000 |
| 4,000+ | ￥1.7011 | ￥6,804.4000 |
| 10,000+ | ￥1.5777 | ￥15,777.0000 |
| 24,000+ | ￥1.5513 | ￥37,231.2000 |
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