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    SUD09P10-195-GE3

    MOSFET -100V 195mOhms@ 10V -8.8A

    制造商:
    Vishay Semiconductors
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SUD09P10-195-GE3 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-252-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 TrenchFET
    配置 Single
    Pd-功率耗散 32.1 W
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 100 V
    Id-连续漏极电流 8.8 A
    Rds On-漏源导通电阻 195 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1 V
    Qg-栅极电荷 23.2 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:55,224

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥4.7684
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥4.7684 ¥4.7684
    10+ ¥4.2836 ¥42.8360
    100+ ¥3.4198 ¥341.9800
    500+ ¥2.9439 ¥1,471.9500
    2,000+ ¥2.1594 ¥4,318.8000
    4,000+ ¥2.0537 ¥8,214.8000
    10,000+ ¥2.0096 ¥20,096.0000

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