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    TPN11006NL,LQ

    MOSFET U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 TPN11006NL,LQ 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    封装 / 箱体 TSON-Advance-8
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 U-MOSVIII-H
    配置 Single
    Pd-功率耗散 30 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 60 V
    Id-连续漏极电流 37 A
    Rds On-漏源导通电阻 17 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.5 V
    Qg-栅极电荷 23 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:51,608

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥5.1386
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥5.1386 ¥5.1386
    10+ ¥4.5480 ¥45.4800
    100+ ¥2.5913 ¥259.1300
    1,000+ ¥2.2035 ¥2,203.5000
    3,000+ ¥2.0801 ¥6,240.3000
    9,000+ ¥2.0096 ¥18,086.4000
    24,000+ ¥1.6394 ¥39,345.6000

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