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| 数据手册 | FQU4N50TU-WS 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-251-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | QFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 2.6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.7 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,836
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.2708
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.2708 | ￥5.2708 |
| 10+ | ￥4.4423 | ￥44.4230 |
| 100+ | ￥3.3317 | ￥333.1700 |
| 250+ | ￥3.2347 | ￥808.6750 |
| 500+ | ￥2.8293 | ￥1,414.6500 |
| 1,000+ | ￥2.3005 | ￥2,300.5000 |
| 2,500+ | ￥2.2299 | ￥5,574.7500 |
| 5,000+ | ￥2.1594 | ￥10,797.0000 |
| 10,000+ | ￥1.9655 | ￥19,655.0000 |
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