| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
Through Hole |
| 封装 |
Tube |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 175 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-220-3 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 商标名 |
StrongIRFET |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
80 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
20 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
200 V |
| Id-连续漏极电流 |
12 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
170 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
3 V |
| Qg-栅极电荷 |
15.3 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥6.1345
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥6.1345 |
￥6.1345 |
|
10+
|
￥5.2003 |
￥52.0030 |
|
100+
|
￥3.8605 |
￥386.0500 |
|
500+
|
￥3.3053 |
￥1,652.6500 |
|
1,000+
|
￥2.6883 |
￥2,688.3000 |
|
2,000+
|
￥2.4150 |
￥4,830.0000 |
|
10,000+
|
￥2.3445 |
￥23,445.0000 |
|
25,000+
|
￥2.3269 |
￥58,172.5000 |
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