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| 数据手册 | IRF200B211 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | StrongIRFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 80 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 170 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 15.3 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,746
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥6.1345
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.1345 | ￥6.1345 |
| 10+ | ￥5.2003 | ￥52.0030 |
| 100+ | ￥3.8605 | ￥386.0500 |
| 500+ | ￥3.3053 | ￥1,652.6500 |
| 1,000+ | ￥2.6883 | ￥2,688.3000 |
| 2,000+ | ￥2.4150 | ￥4,830.0000 |
| 10,000+ | ￥2.3445 | ￥23,445.0000 |
| 25,000+ | ￥2.3269 | ￥58,172.5000 |
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