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| 数据手册 | SI4931DY-T1-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SO-8 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 8 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Id-连续漏极电流 | 8.9 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 400 mV |
| Qg-栅极电荷 | 52 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,496
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥6.1345
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.1345 | ￥6.1345 |
| 10+ | ￥5.4999 | ￥54.9990 |
| 100+ | ￥4.2836 | ￥428.3600 |
| 500+ | ￥3.5344 | ￥1,767.2000 |
| 1,000+ | ￥3.2259 | ￥3,225.9000 |
| 2,500+ | ￥3.2259 | ￥8,064.7500 |
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