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    IRL6297SDTRPBF

    MOSFET 20V Dual N-Channel HEXFET

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IRL6297SDTRPBF 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 DirectFET-SA
    通道数量 2 Channel
    技术 SI
    配置 Dual
    Pd-功率耗散 25 W
    Vgs - 栅极-源极电压 12 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 20 V
    Id-连续漏极电流 15 A
    Rds On-漏源导通电阻 3.8 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 800 mV
    Qg-栅极电荷 54 nC

    库存:56,954

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥6.6898
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥6.6898 ¥6.6898
    10+ ¥5.7203 ¥57.2030
    100+ ¥4.2483 ¥424.8300
    500+ ¥3.6402 ¥1,820.1000
    2,500+ ¥2.9174 ¥7,293.5000
    4,800+ ¥2.9174 ¥14,003.5200
    9,600+ ¥2.7147 ¥26,061.1200
    24,000+ ¥2.6354 ¥63,249.6000

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