SQJ202EP-T1_GE3
MOSFET Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SQJ202EP-T1_GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | PowerPAK-SO-8L-4 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 27 W, 48 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Id-连续漏极电流 | 20 A, 60 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 5.2 mOhms, 2.5 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
| Qg-栅极电荷 | 22 nC, 54 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,665
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥7.3156
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥7.3156 | ￥7.3156 |
| 10+ | ￥6.5047 | ￥65.0470 |
| 100+ | ￥5.1033 | ￥510.3300 |
| 500+ | ￥4.2219 | ￥2,110.9500 |
| 3,000+ | ￥3.0144 | ￥9,043.2000 |
| 6,000+ | ￥2.8646 | ￥17,187.6000 |
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