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| 数据手册 | FDU6N50TU 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 89 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 900 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,465
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥6.8749
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.8749 | ￥6.8749 |
| 10+ | ￥5.8789 | ￥58.7890 |
| 100+ | ￥4.4511 | ￥445.1100 |
| 250+ | ￥4.3189 | ￥1,079.7250 |
| 500+ | ￥3.7371 | ￥1,868.5500 |
| 1,000+ | ￥3.0408 | ￥3,040.8000 |
| 2,500+ | ￥2.9968 | ￥7,492.0000 |
| 5,000+ | ￥2.7235 | ￥13,617.5000 |
| 10,000+ | ￥2.6001 | ￥26,001.0000 |
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