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| 数据手册 | IRF60B217 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | StrongIRFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 7.3 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.1 V |
| Qg-栅极电荷 | 44 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,334
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥9.1049
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥9.1049 | ￥9.1049 |
| 10+ | ￥7.6858 | ￥76.8580 |
| 100+ | ￥5.7467 | ￥574.6700 |
| 500+ | ￥4.9182 | ￥2,459.1000 |
| 1,000+ | ￥4.0104 | ￥4,010.4000 |
| 2,000+ | ￥3.9575 | ￥7,915.0000 |
| 10,000+ | ￥3.9487 | ￥39,487.0000 |
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