TPS1120DR
MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET
- 制造商：
- Texas Instruments
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | TPS1120DR 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 840 mW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 15 V, 2 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 15 V |
| Id-连续漏极电流 | 1.17 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | - 1.5 V |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,817
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥11.8372
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥11.8372 | ￥11.8372 |
| 10+ | ￥10.0391 | ￥100.3910 |
| 100+ | ￥7.8709 | ￥787.0900 |
| 250+ | ￥7.6241 | ￥1,906.0250 |
| 1,000+ | ￥5.6145 | ￥5,614.5000 |
| 2,500+ | ￥5.5352 | ￥13,838.0000 |
| 5,000+ | ￥5.1386 | ￥25,693.0000 |
| 10,000+ | ￥4.9358 | ￥49,358.0000 |
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