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| 数据手册 | FQPF6N80C 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220FP-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | QFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 51 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 5.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.5 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,810
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥12.0223
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥12.0223 | ￥12.0223 |
| 10+ | ￥10.1625 | ￥101.6250 |
| 100+ | ￥7.9326 | ￥793.2600 |
| 250+ | ￥7.6858 | ￥1,921.4500 |
| 500+ | ￥6.6898 | ￥3,344.9000 |
| 1,000+ | ￥5.8349 | ￥5,834.9000 |
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