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| 数据手册 | FCU850N80Z 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-251-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | SuperFET II |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 75 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 850 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 22 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,686
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥9.2988
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥9.2988 | ￥9.2988 |
| 10+ | ￥7.8709 | ￥78.7090 |
| 100+ | ￥5.9406 | ￥594.0600 |
| 250+ | ￥5.7644 | ￥1,441.1000 |
| 500+ | ￥5.0416 | ￥2,520.8000 |
| 1,000+ | ￥4.0985 | ￥4,098.5000 |
| 2,500+ | ￥3.9751 | ￥9,937.7500 |
| 5,000+ | ￥3.8605 | ￥19,302.5000 |
| 10,000+ | ￥3.5080 | ￥35,080.0000 |
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