| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
Through Hole |
| 封装 |
Tube |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 150 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-251-3 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 商标名 |
MDmesh II Plus |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
85 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
25 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
650 V |
| Id-连续漏极电流 |
7 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
670 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
3 V |
| Qg-栅极电荷 |
12.5 nC |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥9.5456
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥9.5456 |
￥9.5456 |
|
10+
|
￥8.1177 |
￥81.1770 |
|
100+
|
￥6.1081 |
￥610.8100 |
|
250+
|
￥5.9318 |
￥1,482.9500 |
|
500+
|
￥5.1826 |
￥2,591.3000 |
|
1,000+
|
￥4.2219 |
￥4,221.9000 |
|
3,000+
|
￥4.1602 |
￥12,480.6000 |
|
6,000+
|
￥3.7812 |
￥22,687.2000 |
|
9,000+
|
￥3.6049 |
￥32,444.1000 |
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