STU2N105K5
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
- 制造商:
- STMicroelectronics
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | STU2N105K5 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-251-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | MDmesh |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 60 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 1.05 kV |
Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 8 Ohms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
Qg-栅极电荷 | 10 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:50,713
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥10.9646
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥10.9646 | ¥10.9646 |
10+ | ¥9.2988 | ¥92.9880 |
100+ | ¥7.2539 | ¥725.3900 |
250+ | ¥6.9983 | ¥1,749.5750 |
500+ | ¥6.1434 | ¥3,071.7000 |
1,000+ | ¥5.2091 | ¥5,209.1000 |
3,000+ | ¥5.1386 | ¥15,415.8000 |
6,000+ | ¥4.7684 | ¥28,610.4000 |
9,000+ | ¥4.6538 | ¥41,884.2000 |
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