文档与媒体
| 数据手册 | FDP22N50N 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | UniFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 312.5 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 220 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,416
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥17.4693
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥17.4693 | ￥17.4693 |
| 10+ | ￥14.8075 | ￥148.0750 |
| 100+ | ￥11.5287 | ￥1,152.8700 |
| 250+ | ￥11.2114 | ￥2,802.8500 |
| 500+ | ￥9.7307 | ￥4,865.3500 |
| 1,000+ | ￥8.4262 | ￥8,426.2000 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
