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| 数据手册 | IRFB9N60APBF 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 170 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 9.2 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 750 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 49 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,509
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥15.2394
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥15.2394 | ￥15.2394 |
| 10+ | ￥12.6393 | ￥126.3930 |
| 100+ | ￥10.4710 | ￥1,047.1000 |
| 500+ | ￥8.9198 | ￥4,459.9000 |
| 1,000+ | ￥8.3028 | ￥8,302.8000 |
| 2,500+ | ￥7.0600 | ￥17,650.0000 |
| 5,000+ | ￥6.8749 | ￥34,374.5000 |
| 10,000+ | ￥6.2579 | ￥62,579.0000 |
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