文档与媒体
| 数据手册 | HUF75639S3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-262-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | UltraFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 56 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,510
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥15.6184
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥15.6184 | ￥15.6184 |
| 10+ | ￥13.2563 | ￥132.5630 |
| 100+ | ￥10.3476 | ￥1,034.7600 |
| 250+ | ￥10.0391 | ￥2,509.7750 |
| 500+ | ￥8.7347 | ￥4,367.3500 |
| 1,000+ | ￥7.4390 | ￥7,439.0000 |
| 2,500+ | ￥7.2539 | ￥18,134.7500 |
| 5,000+ | ￥6.8132 | ￥34,066.0000 |
| 10,000+ | ￥6.6281 | ￥66,281.0000 |
申请更低价? 请联系客服
