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    IRLS3813TRLPBF

    MOSFET 30V Single N-Channel HEXFET

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IRLS3813TRLPBF 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-252-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 195 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 30 V
    Id-连续漏极电流 247 A
    Rds On-漏源导通电阻 1.95 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.35 V
    Qg-栅极电荷 55 nC

    库存:57,598

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥15.6801
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥15.6801 ¥15.6801
    10+ ¥13.3180 ¥133.1800
    100+ ¥10.1008 ¥1,010.0800
    500+ ¥8.7347 ¥4,367.3500
    800+ ¥7.4390 ¥5,951.2000
    2,400+ ¥6.8132 ¥16,351.6800
    9,600+ ¥6.5047 ¥62,445.1200

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