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    BUK965R8-100E,118

    MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET

    制造商:
    Nexperia
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 BUK965R8-100E,118 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    资格 AEC-Q101
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-263-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 349 W
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 100 V
    Id-连续漏极电流 120 A
    Rds On-漏源导通电阻 5.8 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.1 V
    Qg-栅极电荷 133 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:52,538

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥16.4205
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥16.4205 ¥16.4205
    10+ ¥14.3139 ¥143.1390
    100+ ¥10.9646 ¥1,096.4600
    500+ ¥10.2859 ¥5,142.9500
    800+ ¥7.9943 ¥6,395.4400
    2,400+ ¥7.5007 ¥18,001.6800
    4,800+ ¥6.9983 ¥33,591.8400
    9,600+ ¥6.8749 ¥65,999.0400

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