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    IPP023N08N5AKSA1

    MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IPP023N08N5AKSA1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-220-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 OptiMOS
    配置 Single
    Pd-功率耗散 300 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 80 V
    Id-连续漏极电流 120 A
    Rds On-漏源导通电阻 2.8 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.2 V
    Qg-栅极电荷 133 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:54,836

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥25.0318
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥25.0318 ¥25.0318
    10+ ¥21.2506 ¥212.5060
    100+ ¥17.0375 ¥1,703.7500
    500+ ¥15.1160 ¥7,558.0000
    1,000+ ¥13.3180 ¥13,318.0000
    2,500+ ¥12.9478 ¥32,369.5000
    5,000+ ¥12.5776 ¥62,888.0000

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