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| 数据手册 | SQM60030E_GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 375 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.6 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 165 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,143
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥19.2674
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥19.2674 | ￥19.2674 |
| 10+ | ￥17.2843 | ￥172.8430 |
| 100+ | ￥14.1288 | ￥1,412.8800 |
| 500+ | ￥11.7138 | ￥5,856.9000 |
| 1,000+ | ￥9.3605 | ￥9,360.5000 |
| 5,000+ | ￥9.2283 | ￥46,141.5000 |
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