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    STB21N65M5

    MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V

    制造商:
    STMicroelectronics
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 STB21N65M5 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-263-3
    技术 SI
    商标名 MDmesh
    Pd-功率耗散 125 W
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 17 A
    Rds On-漏源导通电阻 190 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 4 V
    Qg-栅极电荷 50 nC

    库存:55,051

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥32.7176
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥32.7176 ¥32.7176
    10+ ¥27.7553 ¥277.5530
    100+ ¥22.2465 ¥2,224.6500
    250+ ¥21.0038 ¥5,250.9500
    1,000+ ¥17.0992 ¥17,099.2000
    2,000+ ¥16.6056 ¥33,211.2000

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