STP33N60DM2
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | STP33N60DM2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | MDmesh |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 25 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 43 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,280
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥22.9869
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥22.9869 | ￥22.9869 |
| 10+ | ￥19.5759 | ￥195.7590 |
| 100+ | ￥15.6184 | ￥1,561.8400 |
| 250+ | ￥14.7458 | ￥3,686.4500 |
| 500+ | ￥13.8821 | ￥6,941.0500 |
| 1,000+ | ￥12.0223 | ￥12,022.3000 |
| 2,000+ | ￥11.6521 | ￥23,304.2000 |
| 5,000+ | ￥10.6561 | ￥53,280.5000 |
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