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| 数据手册 | FQA11N90-F109 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3PN-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | QFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Id-连续漏极电流 | 11.4 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 960 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,710
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥21.9997
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥21.9997 | ￥21.9997 |
| 10+ | ￥18.6504 | ￥186.5040 |
| 100+ | ￥14.9309 | ￥1,493.0900 |
| 250+ | ￥14.1288 | ￥3,532.2000 |
| 500+ | ￥13.2563 | ￥6,628.1500 |
| 1,000+ | ￥11.5904 | ￥11,590.4000 |
| 2,500+ | ￥11.2114 | ￥28,028.5000 |
| 5,000+ | ￥10.6561 | ￥53,280.5000 |
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