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| 数据手册 | IXFA6N120P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.75 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 92 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,775
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥41.7607
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥41.7607 | ￥41.7607 |
| 10+ | ￥37.6710 | ￥376.7100 |
| 50+ | ￥34.8858 | ￥1,744.2900 |
| 100+ | ￥29.8001 | ￥2,980.0100 |
| 500+ | ￥26.2745 | ￥13,137.2500 |
| 1,000+ | ￥23.6656 | ￥23,665.6000 |
| 2,500+ | ￥22.7401 | ￥56,850.2500 |
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