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| 数据手册 | FDP020N06B-F102 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 333 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 313 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.65 mOhms |
库存：50,043
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥30.3025
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥30.3025 | ￥30.3025 |
| 10+ | ￥25.7721 | ￥257.7210 |
| 100+ | ￥20.5719 | ￥2,057.1900 |
| 250+ | ￥19.4525 | ￥4,863.1250 |
| 500+ | ￥18.3419 | ￥9,170.9500 |
| 1,000+ | ￥15.9886 | ￥15,988.6000 |
| 2,500+ | ￥15.4245 | ￥38,561.2500 |
| 5,000+ | ￥14.7458 | ￥73,729.0000 |
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