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| 数据手册 | IXTY02N50D_TRL 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-252-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 30 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | - 5 V |
| 通道模式 | Depletion |
库存：53,470
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥18.2802
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥18.2802 | ￥18.2802 |
| 10+ | ￥16.5439 | ￥165.4390 |
| 25+ | ￥14.3756 | ￥359.3900 |
| 50+ | ￥13.4502 | ￥672.5100 |
| 100+ | ￥13.2563 | ￥1,325.6300 |
| 250+ | ￥10.7795 | ￥2,694.8750 |
| 500+ | ￥10.3476 | ￥5,173.8000 |
| 1,000+ | ￥8.5496 | ￥8,549.6000 |
| 2,500+ | ￥7.0600 | ￥17,650.0000 |
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