CSD19536KTTT
MOSFET 100V N-Channel NexFET Power MOSFET
- 制造商：
- Texas Instruments
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | CSD19536KTTT 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | NexFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 375 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 272 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.4 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.1 V |
| Qg-栅极电荷 | 118 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,449
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥34.7624
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥34.7624 | ￥34.7624 |
| 10+ | ￥31.2280 | ￥312.2800 |
| 50+ | ￥29.5533 | ￥1,477.6650 |
| 100+ | ￥23.6656 | ￥2,366.5600 |
| 250+ | ￥22.3082 | ￥5,577.0500 |
| 500+ | ￥21.0038 | ￥10,501.9000 |
| 1,000+ | ￥18.1568 | ￥18,156.8000 |
| 2,500+ | ￥17.7250 | ￥44,312.5000 |
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