| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
Through Hole |
| 资格 |
AEC-Q101 |
| 封装 |
Tube |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 175 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-247-3 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
370 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
20 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
100 V |
| Id-连续漏极电流 |
120 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
3.7 MOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
2 V |
| Qg-栅极电荷 |
210 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥36.0581
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥36.0581 |
￥36.0581 |
|
10+
|
￥30.6727 |
￥306.7270 |
|
100+
|
￥24.5382 |
￥2,453.8200 |
|
500+
|
￥21.8147 |
￥10,907.3500 |
|
1,000+
|
￥19.0206 |
￥19,020.6000 |
|
2,500+
|
￥18.4036 |
￥46,009.0000 |
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