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| 数据手册 | IXTH10N100D2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 695 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| Qg-栅极电荷 | 200 nC |
| 通道模式 | Depletion |
库存：51,092
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥83.5215
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥83.5215 | ￥83.5215 |
| 10+ | ￥76.2147 | ￥762.1470 |
| 25+ | ￥70.4503 | ￥1,761.2575 |
| 50+ | ￥64.8093 | ￥3,240.4650 |
| 100+ | ￥63.2669 | ￥6,326.6900 |
| 250+ | ￥57.9961 | ￥14,499.0250 |
| 500+ | ￥48.0187 | ￥24,009.3500 |
| 1,000+ | ￥44.0524 | ￥44,052.4000 |
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