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    SCT2160KEC

    MOSFET 1200V20A160mOhm Silicon Carbide SiC

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SCT2160KEC 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SiC
    配置 Single
    Pd-功率耗散 165 W
    Vgs - 栅极-源极电压 - 6 V, 22 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 1200 V
    Id-连续漏极电流 22 A
    Rds On-漏源导通电阻 160 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1.6 V
    Qg-栅极电荷 62 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:57,732

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥86.1304
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥86.1304 ¥86.1304
    10+ ¥79.1233 ¥791.2330
    25+ ¥75.8445 ¥1,896.1125
    100+ ¥68.7756 ¥6,877.5600
    250+ ¥68.3438 ¥17,085.9500

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