文档与媒体
| 数据手册 | IXFK180N10 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 560 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 180 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 8 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,711
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥106.0765
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥106.0765 | ￥106.0765 |
| 10+ | ￥97.4652 | ￥974.6520 |
| 100+ | ￥96.3546 | ￥9,635.4600 |
| 250+ | ￥88.3604 | ￥22,090.1000 |
| 500+ | ￥80.1810 | ￥40,090.5000 |
| 1,000+ | ￥73.1738 | ￥73,173.8000 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
