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| 数据手册 | PGA26E19BA 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | DFN-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | GaN |
| 商标名 | X-GaN |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 69 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷 | 2 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,308
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥113.3304
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥113.3304 | ￥113.3304 |
| 10+ | ￥105.7680 | ￥1,057.6800 |
| 25+ | ￥100.4443 | ￥2,511.1075 |
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