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    IXFX66N85X

    MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

    制造商:
    IXYS
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IXFX66N85X 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 HiPerFET
    配置 Single
    Pd-功率耗散 1.25 kW
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 850 V
    Id-连续漏极电流 66 A
    Rds On-漏源导通电阻 65 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3.5 V
    Qg-栅极电荷 230 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:58,476

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥119.7117
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥119.7117 ¥119.7117
    10+ ¥109.9811 ¥1,099.8110
    100+ ¥108.8088 ¥10,880.8800
    250+ ¥91.2073 ¥22,801.8250
    500+ ¥82.6577 ¥41,328.8500

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