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| 数据手册 | IXFB210N30P3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PLUS-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1.89 kW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Id-连续漏极电流 | 210 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 14.5 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 268 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,849
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥125.9080
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥125.9080 | ￥125.9080 |
| 5+ | ￥124.1099 | ￥620.5495 |
| 10+ | ￥116.1156 | ￥1,161.1560 |
| 25+ | ￥112.0876 | ￥2,802.1900 |
| 50+ | ￥109.8577 | ￥5,492.8850 |
| 100+ | ￥97.8354 | ￥9,783.5400 |
| 250+ | ￥94.5566 | ￥23,639.1500 |
| 500+ | ￥90.0350 | ￥45,017.5000 |
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