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| 数据手册 | IXFL38N100P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 520 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 29 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 230 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,633
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥152.1825
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥152.1825 | ￥152.1825 |
| 5+ | ￥144.5584 | ￥722.7920 |
| 10+ | ￥144.1882 | ￥1,441.8820 |
| 25+ | ￥125.3527 | ￥3,133.8175 |
| 50+ | ￥123.8014 | ￥6,190.0700 |
| 100+ | ￥120.2053 | ￥12,020.5300 |
| 250+ | ￥110.2896 | ￥27,572.4000 |
| 500+ | ￥104.9659 | ￥52,482.9500 |
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