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| 数据手册 | IXTN32P60P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 技术 | SI |
| Pd-功率耗散 | 890 W |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 32 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 350 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 196 nC |
库存：51,603
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥161.1023
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥161.1023 | ￥161.1023 |
| 5+ | ￥160.9172 | ￥804.5860 |
| 10+ | ￥139.9134 | ￥1,399.1340 |
| 25+ | ￥136.9343 | ￥3,423.3575 |
| 50+ | ￥131.0466 | ￥6,552.3300 |
| 100+ | ￥127.2742 | ￥12,727.4200 |
| 200+ | ￥116.7414 | ￥23,348.2800 |
| 500+ | ￥111.1622 | ￥55,581.1000 |
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